进电方式对高阻半导体硅放电加工影响研究

• 作者: 刘志东 曹银风 田宗军 邱明波 黄因慧
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 电火花 高阻硅 进电方式 电阻 随动进电
• 年，卷（期）: 2012,（6）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 725-728
• 页数: 4页
• 分类号: TG661
• 语种: 中文

摘要

进行了高阻半导体硅的放电铣削加工实验,通过检测脉冲放电电压和电流波形,对固定、旋转、随动三种进电方式下的加工情况进行了对比。结果表明：固定进电方式下,由于进电点会逐步生成不导电的钝化膜,接触电阻不断增大,回路中的总电阻不断增大,放电峰值电流逐步减小,最终导致无法加工;旋转进电方式下,由于进电电极与加工区域距离增大,导致放电回路中的体电阻不断增大,放电峰值电流也会逐步减小;随动进电方式下,放电回路中进电电极会不断刮除产生的钝化膜且极间距离维持不变,因此接触电阻和体电阻能保持始终稳定,放电加工稳定性较好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田宗军		220	2027	21.0	32.0
2	黄因慧		219	2593	26.0	36.0
3	刘志东		229	1912	22.0	29.0
4	邱明波		78	554	13.0	20.0
5	曹银风		3	6	2.0	2.0