退火温度对MoS2纳米薄膜特性影响研究

• 作者: 何杰 张国瑞 林拉 陈康烨 顾伟霞 马锡英
• 来源期刊: 纳米技术
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米硫化钼 退火 化学气相沉积 形貌分析 光学特性 电学特性
• 年，卷（期）: nmjs_2013,（3）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: TB3

摘要

本文主要采用化学气相沉积法,以MoS2饱和溶液为原料,利用氩气为输运气体,携带MoS2蒸汽进入反应室,在Si衬底上制备大面积均匀的MoS2超薄薄膜,并分析了不同的退火温度对于薄膜表面形貌、吸收特性以及电学特性的影响。研究发现,经过850℃退火的二硫化钼薄膜平整,厚度和晶粒尺寸也逐渐均匀。另外,随退火温度升高,MoS2超薄膜反射率降低,可显著提高器件光伏效应和光电转换效率,制备高效率的MoS2/Si异质结太阳能电池。退火还可以改善薄膜的电学特性,经过850℃退火的薄膜,其导电率达到了2.848×10?4,霍尔迁移率高达6.42×102 cm 2V?1s?1,可用于制造超低待机功率的场效应管。通过分析不同退火温度对纳米MoS2薄膜光电特性的影响,得出纳米MoS2薄膜的最佳退火温度为850℃,这促进了MoS2纳米电子器件的发展,推进了MoS2在光电子领域以及信息技术方面的广泛应用。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马锡英	苏州科技学院数理学院	34	79	6.0	7.0
2	顾伟霞	苏州科技学院数理学院	6	34	3.0	5.0
3	何杰	苏州科技学院数理学院	4	11	2.0	3.0
4	陈康烨	苏州科技学院数理学院	2	6	1.0	2.0
5	林拉	苏州科技学院数理学院	2	6	1.0	2.0
6	张国瑞	苏州科技学院数理学院	2	6	1.0	2.0