硅基单电子晶体管的可控制备

• 作者: 吕利 孙建东 李欣幸 秦华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 单电子晶体管(SET) 绝缘体上硅(SOI) 库仑阻塞 电子束曝光
• 年，卷（期）: 2013,（3）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 133-136,171
• 分类号: TN303|TN304.05
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2013.03.001

摘要

采用电子束曝光、感应耦合等离子体刻蚀和热氧化等工艺技术,通过独特的图形反转设计,即在电子束曝光时采用负的曝光图形,并以电子束曝光的光刻胶作为掩膜进行干法刻蚀,通过后续的干法热氧化等工艺,在磷离子重掺杂的绝缘体上硅基底上成功地制备出单电子晶体管.该方法具有高精度、结构可控、可重复和加工成本低的优点,可作为一种批量制备单电子晶体管的工艺技术.所制备的单电子晶体管在2.6K到100 K的温度范围内呈现出明显的库仑阻塞效应,导通电阻小于100 kΩ.该单电子晶体管将成为高速、高灵敏度射频电路的关键器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李欣幸	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	4	10	2.0	3.0
2	秦华	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	7	38	3.0	6.0
3	吕利	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	2	9	2.0	2.0
4	孙建东	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室	4	10	2.0	3.0