基于0.13 μm CMOS技术的超宽带低噪放大器设计

• 作者: 苏丽梅 郝群 马建荣
• 来源期刊: 中北大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 反馈 低噪声放大器 超宽带
• 年，卷（期）: 2013,（2）
• 所属期刊栏目: 电子与电子信息
• 页码范围: 199-203
• 页数: 5页
• 分类号: TN733
• 字数: 1443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-3193.2013.02.023

摘要

针对信号频段为3.1～10.6 GHz的超宽带系统射频前端,提出一种基于0.13 μm CMOS技术的低噪声放大器设计与实现.该放大器采用两级结构,通过第一级单端型电阻反馈和第二级单端转差分型电压缓冲器的级联设计,在获碍足够的信号功率增益的同时,能够实现超宽带范围内的输σ匹配.整体电路仿真结果表明:在3.1～10.6 GHz的工作频段,电压增益为23.2 dB,输σ回波损耗小于-13 dB.在6 GHz时噪声系数最小值为2.4dB,最大值为2.7dB,输σ三阶交调截取点(IIP3)为-11.9 dBm.在1.2V电源电压下,该低噪声放大器功耗为12.2 mW,芯片面积为0.32 mm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝群	北京理工大学光电学院	90	760	14.0	24.0
2	马建荣	北京理工大学光电学院	3	3	1.0	1.0
3	苏丽梅	北京理工大学光电学院	6	3	1.0	1.0