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摘要:
在电路设计中,器件和电路的性能和参数会随着制造工艺,电源电压,环境温度的改变而发生变化,随着集成度不断提高,这种偏差严重影响电路的成品率,增加了电路设计的复杂性和成本等。采用基于典型的PTAT带隙基准源,对它进行适当修改后,增加了曲率校正和频率补偿功能,达到增强其工艺鲁棒性的目的,所设计的电路在满足原功能基础上,在指定的PVT变化范围内,电路稳定性得到明显提高。
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高电源抑制比
一种CMOS带隙基准电压源设计
CMOS
带隙基准
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电源抑制比
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 带隙基准源电路工艺鲁棒性设计
来源期刊 电子测试 学科 工学
关键词 带隙基准源 工艺 鲁棒性
年,卷(期) 2013,(24) 所属期刊栏目 设计与研发
研究方向 页码范围 11-14
页数 4页 分类号 TN702
字数 3942字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 张东 25 124 5.0 10.0
2 姜岩峰 10 94 4.0 9.0
3 蒋常斌 6 43 3.0 6.0
4 李杰 8 28 2.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
工艺
鲁棒性
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期刊影响力
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半月刊
1000-8519
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大16开
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1994
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