坩埚表面改性对冶金法多晶硅电学性能的影响

• 作者: 张俊峰 张聪 陈秀华 马文会 魏奎先
• 来源期刊: 轻金属
• 学科: 工学
• 关键词: 表面改性 冶金法 多晶硅 少子寿命 电阻率
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 镁钛工业硅
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: TK511|TG249
• 字数: 3591字
• 语种: 中文

摘要

冶金法制备太阳能级多晶硅所用石墨坩埚含有不同类型的金属杂质,这些杂质通常会降低硅锭的电阻率和少于寿命等电学性能.本文研究了坩埚表面改性对冶金法多晶硅电阻率和少子寿命的影响.通过在不同冷凝速率条件下,对工业硅原料在改性前后的坩埚内提纯.经对铸锭切片的电阻率测试得出:坩埚表面改性使冶金法多晶硅锭的电阻率得到了明显的提高,电阻率的最高值由原来冷凝速率为20μ m/s时的110mΩ·cm提高列30μm/s时227mΩ·cm;经对铸锭切片的少于寿命测试得出:冶金法多晶硅的少子寿命在冷凝速率20μn/s时最高,坩埚表面改性使少子寿命由原来的0.81μs提高到1.91μs.