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半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用
半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用
作者:
周庆波
梁栋程
王晓敏
王淑杰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
半导体器件
SEM 低加速电压
积分技术
消除电荷累积
破坏性物理分析
失效分析
摘要:
针对使用扫描电镜(SEM)进行半导体器件破坏性物理分析(DPA)和失效分析(FA)时,芯片表面不作喷镀处理的问题,提出了减小或消除电荷累积的试验方法。试验结果表明,正确应用SEM低电压技术,选择加速电压1.0 kV~2.0 kV、电子束斑2.0,结合积分技术,可在芯片表面不作喷镀处理,并满足国军标要求下,得到分辨率和性噪比均很好的图片。
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文献信息
篇名
半导体器件扫描电镜低电压成像技术应用
来源期刊
太赫兹科学与电子信息学报
学科
工学
关键词
半导体器件
SEM 低加速电压
积分技术
消除电荷累积
破坏性物理分析
失效分析
年,卷(期)
2013,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
489-493
页数
5页
分类号
TN386.1
字数
2921字
语种
中文
DOI
10.11805/TKYDA201303.0489
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
王淑杰
中国工程物理研究院计量测试中心
10
15
3.0
3.0
2
王晓敏
中国工程物理研究院计量测试中心
20
40
3.0
5.0
3
梁栋程
中国工程物理研究院计量测试中心
11
8
2.0
2.0
4
周庆波
中国工程物理研究院计量测试中心
10
23
2.0
4.0
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二级参考文献(1)
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参考文献(2)
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2013(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2017(2)
引证文献(2)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
半导体器件
SEM 低加速电压
积分技术
消除电荷累积
破坏性物理分析
失效分析
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
太赫兹科学与电子信息学报
主办单位:
中国工程物理研究院电子工程研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
2095-4980
CN:
51-1746/TN
开本:
大16开
出版地:
四川绵阳919信箱532分箱
邮发代号:
62-241
创刊时间:
2003
语种:
chi
出版文献量(篇)
3051
总下载数(次)
7
总被引数(次)
11167
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