金属辅助湿法化学刻蚀黑硅机理的探讨

• 作者: 廖华 廖承菌 李学铭 杨培志
• 来源期刊: 云南师范大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 黑硅 增强广谱吸收 金字塔绒面
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 所属期刊栏目: 可再生能源研究
• 页码范围: 22-28
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 3164字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7699/j.ynnu.ns-2013-064

摘要

为了理解金属辅助湿法化学刻蚀的机理,单晶硅片分别在氢氟酸/过氧化氢/氯金酸(HF/H2O2/HAuCl4)体系、氢氟酸/硝酸/硝酸银(HF/HNO3/AgNO3)体系、氢氟酸/过氧化氢/硝酸铜(HF/H2O2/Cu(NO3)2)体系中被刻蚀,经过三种体系刻蚀的单晶硅样品的减重量与减薄量之比值分别约为1.622、0.960、0.560.利用电动模型分析认为:差异性刻蚀的发生主要取决于电子的得失和电荷的传输两个方面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	廖承菌		8	20	2.0	4.0
2	廖华		5	16	2.0	4.0
3	杨培志	云南师范大学太阳能研究所	42	68	5.0	6.0
4	李学铭	云南师范大学太阳能研究所	8	14	2.0	3.0