镶嵌在SiO2基体中SiC纳米晶的紫外光致发光

• 作者: 卢赛 杨宇 王文杰 王茺
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiC纳米晶 SiO2薄膜 氧空位
• 年，卷（期）: 2013,（7）
• 页码范围: 1330-1335,1342
• 页数: 7页
• 分类号: TN304|O434.2
• 字数: 4576字
• 语种: 中文

摘要

将剂量为2×1016 cm-2的C+以60 keV的能量注入到SiO2薄膜中并进行了退火处理.从样品的室温光致发光(PL)光谱中观察到六个PL峰,其峰位分别处于2.601 eV、2.857 eV、3.085 eV、3.249 eV、3.513 eV和3.751 eV.其中3.249 eV处的PL峰与4H-SiC有关.而对于尚未见报道的3.751 eV处PL峰,进行了红外吸收和荧光激发(PLE)测试:在PLE谱4.429 eV处显示出一个对应于3.751 eV处的激发峰.在红外吸收谱上证实0.205 eV(1650cm-1)处的吸收峰与3.751 eV处发光峰的起源相关,从而推断在3.751 eV处的PL峰应起源于氧空位缺陷.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学光电信息材料研究所	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学光电信息材料研究所	50	148	7.0	8.0
3	卢赛	云南大学光电信息材料研究所	2	2	1.0	1.0
4	王文杰	云南大学光电信息材料研究所	3	2	1.0	1.0