单晶SiC基片的集群磁流变平面抛光加工

• 作者: 徐西鹏 潘继生 白振伟 祝江停 童和平 阎秋生
• 来源期刊: 中国机械工程
• 关键词: 单晶SiC 集群磁流变 平面抛光 表面粗糙度
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 所属期刊栏目: 科学基金
• 页码范围: 2495-2499
• 页数: 5页
• 分类号: TG749|TH161
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-132X.2013.18.016

摘要

基于集群磁流变效应超光滑平面抛光理论及研制的试验装置,对单晶SiC基片进行了平面抛光试验研究.研究结果表明,金刚石磨料对单晶SiC基片具有较好的抛光效果;加工间隙在1.4mm以内抛光效果较好,30min抛光能使表面粗糙度值减小87％以上;随着加工时间的延长,表面粗糙度越来越小,加工30min时粗糙度减小率达到86.54％,继续延长加工时间,加工表面粗糙度趋向稳定.通过优化工艺参数对直径为50.8mm(2英寸)6H单晶SiC进行了集群磁流变平面抛光,并用原子力显微镜观察了试件加工前后的三维形貌和表面粗糙度,发现经过30min加工,表面粗糙度Ra从72.89nm减小至1.9nm,说明集群磁流变效应超光滑平面抛光用于抛光单晶SiC基片可行有效且效果显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐西鹏	华侨大学脆性材料加工技术教育部工程研究中心	186	1660	20.0	28.0
2	阎秋生		146	787	13.0	20.0
3	潘继生		34	203	8.0	12.0
4	白振伟		8	63	4.0	7.0
5	祝江停		3	41	3.0	3.0
6	童和平		2	28	2.0	2.0