单晶 SiC 基片的铜基研磨盘加工特性研究

• 作者: 梁华卓 路家斌 阎秋生
• 来源期刊: 金刚石与磨料磨具工程
• 学科: 工学
• 关键词: 6 H-SiC 基片 金刚石磨料 铜基研磨盘 表面质量
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 6-10,14
• 页数: 6页
• 分类号: TQ164|TG58
• 字数: 3177字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13394/j.cnki.jgszz.2016.6.0002

摘要

采用铜基螺旋槽研磨盘对6 H–SiC 单晶基片的 Si 面和 C 面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对 SiC 基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶 SiC 的 C 面和 Si 面具有明显的差异性,C 面更易加工,其材料去除率比 Si 面大。研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生。在达到最佳表面粗糙度时,C 面加工所需的转速比 Si 面大。磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用粒度尺寸3μm 的金刚石磨料比采用粒度尺寸1μm 的金刚石效果好,经粒度尺寸3μm 的金刚石磨料研磨加工5 min 后,Si 面从原始粗糙度 Ra 130 nm 下降到 Ra 5.20 nm,C 面下降到 Ra 5.49 nm,表面质量较好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	阎秋生	广东工业大学机电工程学院	146	787	13.0	20.0
2	路家斌	广东工业大学机电工程学院	58	257	9.0	12.0
3	梁华卓	广东工业大学机电工程学院	3	17	2.0	3.0