SiC单晶片化学机械研磨试验研究

• 作者: 张晓东 朱鑫 王庆仓 祝伟彪 苏建修 裴圣华 郗秦阳
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械研磨 研磨液 碳化硅单晶片 材料去除率 表面质量
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 表面质量控制及检测 Surface Quality Control and Detection
• 页码范围: 137-140,146
• 页数: 5页
• 分类号: TG175
• 字数: 1722字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16490/j.cnki.issn.1001-3660.2015.04.025

摘要

目的：提高SiC单晶片的材料去除率,改善加工后的表面质量。方法进行研磨液试验,利用极差法得到研磨液的最优配比和研磨液成分中影响去除率的主次因素顺序；对主要影响因素进行单因素试验并考察对材料去除率的影响。结果研磨液的质量为50 g,最优配方为：助研剂、分散剂、增稠剂、润滑剂、磨料A、磨料B的质量分别为9,7,5,3,3,5 g,其余为调和剂,磨料A和磨料B的粒度均为W28。结论影响材料去除率的主要因素为磨料粒度,粒度越大,材料去除率越高。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张晓东	西南石油大学机电工程学院	87	629	13.0	21.0
2	苏建修	河南科技学院机电学院	43	283	9.0	15.0
3	裴圣华	吉安职业技术学院机电工程学院	10	22	2.0	4.0
4	祝伟彪	西南石油大学机电工程学院	3	19	2.0	3.0
5	朱鑫	西南石油大学机电工程学院	2	22	2.0	2.0
6	王庆仓	西南石油大学机电工程学院	3	25	3.0	3.0
7	郗秦阳	西南石油大学机电工程学院	2	19	2.0	2.0