SiC单晶片的取向研磨

• 作者: 潘盼 王欢欢 赵树峰 陈治明
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: SiC单晶片 取向研磨 偏向晶片
• 年，卷（期）: 2010,（2）
• 页码范围: 365-368
• 分类号: O786
• 字数: 1818字
• 语种: 中文

摘要

优质晶体生长常常需要籽晶或衬底偏离常规结晶取向.为便于按任意偏向角度研磨晶片,本实验室设计并应用了晶片取向研磨夹具及相应的研磨工艺.本文介绍了该夹具和工艺的工作原理、技术要点以及对技术指标的鉴定情况.测试结果表明,研磨取向误差范围可控制在5%之内,研磨片厚度偏差小于5 μm、粗糙度Ra=0.12 μm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈治明	西安理工大学电子工程系	83	498	11.0	18.0
2	王欢欢	西安理工大学电子工程系	2	10	1.0	2.0
3	赵树峰	西安理工大学电子工程系	1	10	1.0	1.0
4	潘盼	西安理工大学电子工程系	1	10	1.0	1.0