GeneSiC开发出耐压10 kV的SiC BJT

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 双极晶体管 功率半导体 金泽 GeneSiC SIC BJT kV 石川 日本电气 导通电阻 开关损
• 年，卷（期）: bdtxx_2013,（3）
• 页码范围: 9-10
• 页数: 2页
• 分类号: TN322.8

摘要

【正】GeneSiCSemicondutor公司开发出了耐压高达10kV左右的SiC双极晶体管(BJT),并在功率半导体国际会议"ISPSD201"(2013年5月26～30日在日本石川县金泽市举行,由日本电气学会主办)上发表了演讲。该公司制作出了芯片