NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究

• 作者: 于广华 李伟 李明华 滕蛟
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: MgO NiFeCr 各向异性磁电阻 退火
• 年，卷（期）: 2013,（18）
• 所属期刊栏目: 研究?开发
• 页码范围: 2630-2632
• 页数: 3页
• 分类号: O484.5
• 字数: 2584字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.009

摘要

采用磁控溅射制备了 NiFeCr (4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD 结果表明,薄膜不仅具有很强的 NiFe(111)织构,同时还出现了 MgO 的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于广华	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	88	372	9.0	14.0
2	李明华	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	21	50	4.0	5.0
3	滕蛟	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	37	132	6.0	9.0
4	李伟	北京科技大学材料学院材料物理与化学系	58	209	7.0	12.0