碱性铜抛光液在65 nm多层铜布线平坦化中的应用

• 作者: 刘玉岭 曹阳 牛新环 王辰伟
• 来源期刊: 河北工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 极大规模集成电路 碱性铜抛光液 化学机械平坦化 速率 高低差
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.2
• 字数: 2308字
• 语种: 中文

摘要

为适应极大规模集成电路(GLSI)集成度按摩尔定律飞速发展的需要,同时解决国际酸性化学机械平坦化(CMP)技术存在的多项问题,本文研发了以多羟多胺为螯合剂的不含副作用大的苯并三唑(BTA)的碱性铜布线抛光液.实验结果表明:研发的碱性铜抛光液在常态下对铜几乎不反应(20 (A)/min),而在常压(2psi) CMP下,能够快速地去除铜膜,去除速率(RR)高达8 235(A)/min(工业要求5 000(A)/min).凹处自钝化,凸处快速率,实现了高的平坦化效率.8层铜布线平坦化结果表明,60 s可消除约1.162μm的高低差,且单层图形片基本实现平坦化(高低差＜10 nm),抛光后表面粗糙度低(0.178 nm),表面洁净度高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	牛新环	河北工业大学微电子技术与材料研究所	69	406	10.0	17.0
3	王辰伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	80	287	8.0	10.0
4	曹阳	河北工业大学微电子技术与材料研究所	7	29	4.0	5.0