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摘要:
3D硅通孔技术增加电路密度、降低功耗、提高带宽的优势在业内已得到广泛的认可.随着3D TSV技术的迅速发展,对于测试成本的优化就显得尤为突出,现有的测试方法已提出了很多挑战3D TSV技术的解决方案.提出了一种不同的应对3D TSV测试技术挑战的完整的3DTSV测试解决方案,其中某些方面涉及到3D TSV测试的前沿技术,而且也是唯一面向3D TSV测试特定的解决方案.最后,给出了一些采用完整3D TSV测试中其余的挑战.
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文献信息
篇名 3D TSV测试的挑战和潜在解决方案
来源期刊 电子工业专用设备 学科 工学
关键词 3D硅通孔技术 测试技术挑战 测试解决方案 前沿测试技术 直接晶圆探测
年,卷(期) 2013,(1) 所属期刊栏目 封装技术与设备
研究方向 页码范围 12-20,24
页数 10页 分类号 TN307
字数 语种 中文
DOI
五维指标
传播情况
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2013(0)
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2019(1)
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研究主题发展历程
节点文献
3D硅通孔技术
测试技术挑战
测试解决方案
前沿测试技术
直接晶圆探测
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子工业专用设备
双月刊
1004-4507
62-1077/TN
大16开
北京市朝阳区安贞里三区26号浙江大厦913室
1971
chi
出版文献量(篇)
3731
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31
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