半导体断路开关截断过程模拟的缩比模型

• 作者: 刘纯亮 李永东 林舒 王洪广
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 物理学
• 关键词: 半导体断路开关 缩比模型 截断过程
• 年，卷（期）: 2013,（9）
• 所属期刊栏目: 高功率微波
• 页码范围: 2341-2345
• 页数: 5页
• 分类号: O436.1
• 字数: 3395字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/HPLPB20132509.2341

摘要

在维持电路参数同比变化和通过半导体断路开关(SOS)的电流密度不变的基础上,提出了一种SOS截断特性模拟的缩比模型,并可在Silvaco ATLAS软件中应用.在以不同的缩比率选取等效SOS横截面积的情况下,将原电路中串联的100个二极管等效为若干个二极管,模拟得到了相同的二极管电流和电压波形.模拟结果表明,该模型不仅可以得到正确的SOS瞬态截断过程,而且可将计算速度提高近百倍.通过对SOS截断过程中载流子分布和电场分布变化过程的分析发现,SOS的截断过程发生在n-n+区.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘纯亮	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	124	527	9.0	16.0
2	李永东	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	42	184	8.0	11.0
3	王洪广	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	20	69	5.0	7.0
4	林舒	西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室	9	21	3.0	4.0