IC外延电阻相似失效案例的比较与分析

• 作者: 周卫宏 周桂丽 赵铝虎
• 来源期刊: 电子质量
• 关键词: 外延电阻 埋层上浮 场注入
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 可靠性分析
• 页码范围: 17-24
• 页数: 8页
• 分类号: TN407
• 语种: 中文

摘要

该文通过分析外延层外延电阻率变化,场注入偏浓和埋层上浮三个IC制品生产线最常见的典型案例,比较明确三者之间的异同,了解和认识PCM相关参数的变化情况.同时也记录不同失效类型,并予以归类.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周桂丽		2	0	0.0	0.0
2	赵铝虎		2	0	0.0	0.0
3	周卫宏		2	0	0.0	0.0