TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛构型及其演变的第一性原理研究

• 作者: 任元 刘学杰 吴帅
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 界面形成条件 相分离 构型演变 激活能 第一性原理
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 材料合成及性能
• 页码范围: 727-731
• 页数: 5页
• 分类号: TB332
• 字数: 3593字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/fgxb20133406.0727

摘要

为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成,采用第一性原理计算了在TiN (001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能,并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能.计算结果表明:在3N1Ti1Si的几种构型中,Ti-in-3N1 Si构型是最低能量的稳定结构,这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的；两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小,更容易实现构型演变;与2 Ti2N1 Si构型演变相比,3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现,这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘学杰	内蒙古科技大学机械工程学院	57	114	6.0	7.0
2	任元	内蒙古科技大学机械工程学院	31	62	4.0	6.0
3	吴帅	内蒙古科技大学机械工程学院	2	3	1.0	1.0