银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键工序研究

• 作者: 何洋 王圣坤 苑伟政
• 来源期刊: 化学工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 银辅助化学刻蚀法 化学刻蚀法 硅纳米线
• 年，卷（期）: 2013,（4）
• 所属期刊栏目: 科研与开发
• 页码范围: 5-7,14
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1
• 字数: 2159字
• 语种: 中文

摘要

本文通过实验发现,硅片表面的洁净度和合适的刻蚀液浓度是成功应用银辅助化学刻蚀法制作硅纳米线的关键.总结出针对该法的一种性能可靠的简单清洗工艺.通过配制不同浓度的刻蚀液发现AgNO3的浓度在0.008～0.016mol·L-1范围内,HF浓度从4.0～5.5mo1· L-1范围内可以成功制作出硅纳米线.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苑伟政	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	70	351	10.0	14.0
2	何洋	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	26	371	12.0	19.0
3	王圣坤	西北工业大学空天微纳系统教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0