600VVDMOS器件的反向恢复热失效机理

• 作者: 吴逸凡 夏晓娟 孙伟锋 成建兵 祝靖 郭宇锋
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: VDMOS 体二极管 反向恢复 热失效
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 页码范围: 1243-1247
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2910字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2013.06.021

摘要

为了研究 VDMOS 器件体二极管在反向恢复过程中的失效机理，详细分析了600 V VD-MOS 器件体二极管的工作过程，采用 TCAD 模拟软件研究了体二极管正向导通和反向恢复状态下的载流子密度分布及温度分布情况。模拟结果表明，VDMOS 器件的体二极管在正向导通时，器件终端区同样会贮存大量的少数载流子，当体二极管从正向导通变为反向恢复状态时，贮存的少数载流子会以单股电流的形式被抽取，使得 VDMOS 器件中最靠近终端位置的原胞中的p-body 区域温度升高，从而导致该区域寄生三极管基区电阻增大、发射结内建电势降低，最终触发寄生三极管开启，造成 VDMOS 器件失效。分析结果与实验结果一致。