高 g值冲击下 MEMS器件可靠性研究

• 作者: 张亚 李波 潘晓琳
• 来源期刊: 机械研究与应用
• 关键词: SOI MEMS器件 惯性冲击 脱落失效
• 年，卷（期）: 2013,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与分析
• 页码范围: 15-16,20
• 页数: 3页
• 分类号: TN403
• 语种: 中文

摘要

以基于SOI的MEMS开关器件为研究对象，建立了以SOI器件为基本结构的有限元分析模型，此次实验采取的是在SOI层上镀上一层Au，以便进行电路连接，并加载500～5000 g的惯性力进行有限元分析。经ANSYS有限元的分析，在500 g高惯性力的作用下，最容易产生金属层的脱落现象，造成MEMS器件的失效。通过这种方式对不同结构的MEMS开关器件进行有限元分析，限制其阀值加速度，减少由于惯性跌落试验而造成的实物破坏。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张亚	中北大学机电工程学院	112	370	8.0	11.0
2	李波	中北大学机电工程学院	40	175	7.0	11.0
3	潘晓琳	中北大学机电工程学院	2	4	2.0	2.0