原子层沉积Al2O3薄膜钝化n型单晶硅表面的研究

• 作者: 刘阳辉 李想 竺立强 颜钟惠
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 太阳能电池 晶体硅钝化 原子层沉积 Al2O3薄膜
• 年，卷（期）: 2013,（8）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 40-43
• 页数: 4页
• 分类号: TM914.4|TN305.5
• 字数: 3568字
• 语种: 中文

摘要

以三甲基铝(TMA)和水为反应源,采用原子层沉积(ALD)技术在n型单晶硅表面沉积15 nm、30 nm和100 nm的Al2O3薄膜,并对样品进行快速退火(RTA)处理.采用少子寿命测试仪测试样品的有效少子寿命,获得了表面复合速率(SRV),通过X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜的化学成分,在此基础上研究了薄膜厚度及退火条件对钝化效果的影响,并分析了钝化机理.结果表明:ALD技术制备的Al2O3薄膜经退火后可使n型单晶硅SRV值降低到7 cm/s,表面钝化效果显著.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜钟惠	湖南大学物理与微电子科学学院微纳光电教育部重点实验室	2	6	1.0	2.0
2	李想	湖南大学物理与微电子科学学院微纳光电教育部重点实验室	5	6	1.0	2.0
3	竺立强	中国科学院宁波材料技术与工程研究院	2	6	1.0	2.0
4	刘阳辉	中国科学院宁波材料技术与工程研究院	1	5	1.0	1.0