F等离子体刻蚀Si中Lag效应的分子动力学模拟

• 作者: 任天令 宋亦旭 李进春 王建伟 褚国亮
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 分子动力学 Lag效应 刻蚀 刻蚀率
• 年，卷（期）: 2013,（24）
• 所属期刊栏目: 气体、等离子体和放电物理
• 页码范围: 245202-1-245202-5
• 页数: 1页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.245202

摘要

通过分子动力学模拟的方法对感应耦合等离子体刻蚀中Lag效应的产生机理进行了研究。研究结果表明，在刻蚀过程中普遍存在Lag效应，宽槽的刻蚀率明显比窄槽的刻蚀率要高，这是由于宽槽更有利于产物从槽中的逸出；窄槽中产物从槽中逸出的速率较低，较多的产物拥挤在窄槽中降低了入射的F等离子体入射的速度，从而降低了F等离子体到达Si表面的能量，而相同条件下，刻蚀率随能量的降低而降低；另一方面，窄槽中入射的等离子体与槽壁的距离较近，使得入射的F更容易与槽壁表面的Si的悬挂键结合沉积在槽壁表面，使刻蚀出的槽宽度变窄，进一步影响到后继粒子的入射；Lag效应随槽宽的减小而增强，随温度的升高而减弱，随入射粒子能量的升高而增强。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋亦旭	清华大学信息科学与技术国家实验室	13	204	8.0	13.0
2	任天令	清华大学微电子学研究所	87	600	13.0	19.0
3	王建伟	清华大学微电子学研究所	7	236	4.0	7.0
7	李进春	清华大学信息科学与技术国家实验室	1	0	0.0	0.0
8	褚国亮	清华大学信息科学与技术国家实验室	1	0	0.0	0.0