静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

• 作者: 吴东岩 谢鹏浩 谭志良 马立云
• 来源期刊: 科学技术与工程
• 学科: 工学
• 关键词: 晶体管 静电放电 Medici 仿真 损伤
• 年，卷（期）: 2013,（30）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 8916-8920,8927
• 页数: 6页
• 分类号: TN315.2
• 字数: 3760字
• 语种: 中文

摘要

为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型.从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理.通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结；另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿.但两者机理有所不同.对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿；而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭志良	军械工程学院静电与电磁防护研究所	62	313	9.0	15.0
2	谢鹏浩	军械工程学院静电与电磁防护研究所	18	58	3.0	7.0
3	吴东岩	军械工程学院静电与电磁防护研究所	3	9	2.0	3.0
4	马立云	军械工程学院静电与电磁防护研究所	3	10	2.0	3.0