壁面二次电子发射对霍尔推力器放电通道绝缘壁面双鞘特性的影响

• 作者: 卿绍伟 段萍 鄂鹏
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 霍尔推力器 双鞘 壁面二次电子发射
• 年，卷（期）: 2013,（5）
• 页码范围: 271-278
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.62.055202

摘要

为进一步揭示霍尔推力器放电通道绝缘壁面鞘层的特性,利用考虑了壁面二次电子分布函数的一维稳态流体鞘层模型,研究了壁面二次电子发射对近壁双鞘特性的影响.分析结果表明,由于壁面发射的二次电子对近壁鞘层中的电子密度有增加作用,存在一个临界二次电子发射系数σdc使得:当σσdc时,鞘层为单层的正离子鞘结构;当σ>σdc时,鞘层表现为双层的正离子鞘和电子鞘相连结构,连接点对应于垂直于壁面方向上电势分布的拐点.然而,当σ进一步增大到0.999时,鞘层转变为三层的正离子鞘-电子鞘-正离子鞘交替结构.数值结果表明:随着σ的增加,电子鞘与离子鞘的连接点向远离壁面的方向移动,电子鞘的厚度逐渐增加;随着壁面出射电子能量系数a的增加,近壁区鞘层的厚度也逐渐增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段萍	大连海事大学物理系	18	62	6.0	7.0
2	鄂鹏	哈尔滨工业大学电气工程系	13	65	5.0	7.0
3	卿绍伟	重庆大学动力工程学院	6	18	2.0	4.0