微纳BNT铁电薄膜阵列制备及性能研究

• 作者: 胡志高 苗凤娟 褚君浩 陶佰睿
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 铁电薄膜 微纳薄膜阵列 硅微通道板 钕掺杂太酸铋
• 年，卷（期）: 2014,（2）
• 页码范围: 139-142,148
• 页数: 5页
• 分类号: TN384
• 字数: 3561字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3724/SP.J.1010.2014.00139

摘要

采用溶胶-凝胶和旋涂抽滤方法,在硅微通道(Si-MCP)衬底的内壁上涂敷前驱物,然后分别在600℃,650℃,700℃和750℃条件下制备Bi3.15Nd0.85Ti3O12/Si-MCP微纳薄膜阵列,并对其结构及铁电特性进行表征.研究结果显示,退火温度越高,Si-MCP内被局域化的微纳薄膜结晶颗粒尺寸越大,同时BNT/Si-MCP微纳薄膜阵列越趋向沿c轴取向,尤其在750℃下制备的薄膜具有表面形貌均匀和c轴取向程度高等优点,且剩余极化强度可达93.8 μC/cm2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	苗凤娟	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	96	292	8.0	13.0
3	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
5	陶佰睿	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	107	362	10.0	14.0
13	胡志高	华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室	4	5	1.0	2.0