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摘要:
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0.6 um工艺NMOS ESD保护电路版图优化
ESD
版图优化
DCGS
SCGS
GGNMOS
CMOS集成电路中ESD保护技术研究
静电放电
失效模式
ESD保护电路
栅耦舍
一种CMOS新型ESD保护电路设计
静电放电(ESD)保护
栅极接地NMOS
抗静电
电流集边效应
低成本
基于MEDICI仿真的ESD保护器件设计方法
ESD
GGNMOS
MEDICI
器件仿真
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数  
(/次)
(/年)
文献信息
篇名 为USB应用提供ESD保护
来源期刊 世界电子元器件 学科
关键词 USB3.0 ESD保护
年,卷(期) 2014,(5) 所属期刊栏目 设计应用
研究方向 页码范围 40-42
页数 3页 分类号
字数 2402字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 Kedar Bhatawadekar 1 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
引文网络
二级参考文献  (0)
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参考文献  (0)
节点文献
引证文献  (1)
同被引文献  (0)
二级引证文献  (0)
2014(0)
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  • 二级引证文献(0)
2019(1)
  • 引证文献(1)
  • 二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
USB3.0
ESD保护
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
世界电子元器件
月刊
1006-7604
11-3540/TN
16开
北京市北四环西路67号大地科技大厦1201-1218
82-796
1995
chi
出版文献量(篇)
5855
总下载数(次)
6
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