电离辐照诱发面阵电荷耦合器暗信号增大试验

• 作者: 刘敏波 杨少华 王祖军 盛江坤 罗通顶
• 来源期刊: 中国空间科学技术
• 关键词: 面阵电荷耦合器件 电离辐照 暗信号 退火 空间轨道环境
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 72-78
• 页数: 7页
• 字数: 3621字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3780/j.issn.1000-758X.2014.04.011

摘要

针对电荷耦合器件(CCD)在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响,对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究.首先,通过开展面阵CCD60 Co γ射线电离辐照效应试验,在暗场条件下测试了面阵CCD辐照后输出信号随积分时间的变化,并拟合计算出暗信号斜率.然后,对比分析了不同偏置条件下辐照后暗信号退化的试验规律;分析了不同偏置条件下辐照后暗信号的退火恢复情况;分析了不同积分时间、不同总剂量下的暗信号不均匀性的变化规律.最后,阐述了电离辐照损伤诱发面阵CCD暗信号增大的物理机制.结果表明:面阵CCD对电离辐照损伤很敏感,在进行航天器成像系统设计时,要充分考虑CCD受电离辐照损伤带来的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王祖军	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	22	178	7.0	12.0
2	刘敏波	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	22	147	8.0	10.0
3	杨少华	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	25	170	7.0	12.0
4	罗通顶	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	21	78	5.0	7.0
5	盛江坤	西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室	4	12	2.0	3.0