基于Geant 4程序模拟质子打薄靶能量和角度歧离

• 作者: 关世荣 张慧 李欣 梅雪松 王振超
• 来源期刊: 中国辐射卫生
• 学科: 医学
• 关键词: Geant4模拟 质子 能量歧离 角度歧离 薄膜
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 297-298,302
• 分类号: R811.1
• 语种: 中文

摘要

目的 讨论能量歧离和角度歧离与入射质子能量、靶材料及厚度的关系.方法 利用Monte Carlo模拟软件Geant4,模拟100 keV～ 10 MeV质子垂直入射铍(Be)、碳(C)、水(H2O)、铝(Al)、铜(Cu)薄膜后的能量歧离值和角度歧离值.结果 得到能量歧离和角度歧离与薄膜厚度、薄膜材料及入射质子能量的关系.结论 能量歧离主要发生在入射质子100 keV～ 200 keV能量范围内,当薄膜厚度越大且薄膜材料原子序数越高时,能量歧离和角度歧离越大;当入射质子能量越大时,能量歧离和角度歧离越小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张慧	黑龙江省科学院技术物理研究所	67	126	6.0	9.0
2	梅雪松	黑龙江省科学院技术物理研究所	17	16	2.0	3.0
3	关世荣	黑龙江省科学院技术物理研究所	11	13	2.0	3.0
4	王振超	黑龙江省科学院技术物理研究所	8	5	1.0	1.0
5	李欣	牙克石林业第一中学物理组	1	0	0.0	0.0