漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响

• 作者: 吴晓鹏 杨银堂 董刚 高海霞
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 漏极接触孔到栅间距 静电放电 栅接地N型金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2014,（4）
• 页码范围: 26-30
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 2710字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2014.04.005

摘要

研究了不同漏极接触孔到栅间距对深亚微米单叉指栅接地 N型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响,并分析了相关物理机制.基于中芯国际0.18μm互补金属氧化物半导体工艺进行流片,并进行传输线脉冲测试,得到了不同漏极接触孔到栅间距(DCGS)值的保护器件单位宽度失效电流水平的变化趋势.结合器件仿真,分析了保护器件的电、热分布情况.研究结果表明,DCGS值的增大,使电流密度峰值向远离沟道的方向移动,从而降低了尖端放电的风险.同时,当DCGS值增大到一定阈值时,由于漏区与衬底温度达到平衡,因此失效电流水平出现饱和趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	董刚	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	121	7.0	9.0
3	高海霞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	17	108	7.0	9.0
4	吴晓鹏	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	25	3.0	5.0