沟道尺寸对深亚微米 GGNMOS 保护器件特性的影响

• 作者: 刘海霞 吴晓鹏 杨银堂 董刚
• 来源期刊: 西安电子科技大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 沟道宽度 沟道长度 静电放电 栅接地 N 型金属氧化物半导体
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 页码范围: 113-117
• 页数: 5页
• 分类号: TN406
• 字数: 3335字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2400.2015.06.020

摘要

基于测试结果，研究了不同沟道宽度、沟道长度对深亚微米单叉指栅接地 N 型金属氧化物半导体静电放电保护器件性能的影响机制，并得出保护器件沟道尺寸的优化准则．基于 SMIC 0.18μm CMOS 工艺进行流片及传输线脉冲测试，得到了不同版图参数条件下保护器件的 I‐V 特性．基于失效电流水平变化趋势以及器件仿真结果，分析了相关物理机制．研究结果表明，沟道宽度的选取必须结合器件的导通均匀性情况，同时沟道长度值则通过改变器件沟道下方的热分布影响保护器件的鲁棒性．利用实验方法分析了沟道尺寸对单叉指栅接地 N 型金属氧化物半导体保护器件性能影响的物理机制，对深亚微米保护器件的版图设计提供了优化指导．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	董刚	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	36	121	7.0	9.0
3	吴晓鹏	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	9	25	3.0	5.0
4	刘海霞	西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	63	3.0	6.0