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导入闸极屏蔽结构令沟槽式MOSFET功耗锐减
导入闸极屏蔽结构令沟槽式MOSFET功耗锐减
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摘要：
推荐文章
一种1 200 V碳化硅沟槽MOSFET的新结构设计
碳化硅
TSN结构
特征导通电阻
特征栅漏电容
中压沟槽 MOSFET 的设计与研究
沟槽MOSFET
沟槽深度
注入剂量
击穿电压
导通电阻
阈值电压
一种100V分离栅沟槽MOSFET的优化设计
分离栅
MSO结构
特征导通电阻
特征栅漏电荷
沟槽式密封衬套结构性能分析
流体力学
转膛炮
埋头弹火炮
沟槽密封
质量流量
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
| 篇名 | 导入闸极屏蔽结构令沟槽式MOSFET功耗锐减 | ||
| 来源期刊 | 中国电子商情·基础电子 | 学科 | |
| 关键词 | |||
| 年，卷（期） | 2014,（5） | 所属期刊栏目 | 技术前沿 -- 硬核浮点 DSP 模块大幅提升 FPGA 资源效率 |
| 研究方向 | 页码范围 | 17-20 | |
| 页数 | 4页 | 分类号 | |
| 字数 | 2225字 | 语种 | 中文 |
| DOI | |||
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中国电子商情·基础电子
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