通过面积扩张和散热硅通孔的3D IC热量的优化

• 作者: 刘军 张欢 方芳 杨国兵 王伟 陈田
• 来源期刊: 电子测量与仪器学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维芯片 热量 面积扩张 散热硅通孔
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 748-754
• 页数: 7页
• 分类号: TP391.7|TN9
• 字数: 4581字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13382/j.jemi.2014.07.010

摘要

随着集成度的增加，高密度的3D IC的发热问题变得越来越严重，温度过高的热斑不仅影响芯片的性能，甚至对芯片的可靠性带来严重的威胁。从两个方面来优化三维芯片的热量问题，通过模拟退火算法把电路模块划分到合适的层，使得热斑块在整体芯片的分布较为均；在x/y方向上对热斑块适当的面积扩张来降低热斑块的功耗密度，然后在z方向上插入散热硅通孔来转移芯片内部的热量。仿真结果表明，通过该优化后的芯片最高温度可以进一步减小，在电路ncpu第二层中优化前后最高温度降低了11．98°；热量分布更加均衡，层内最高温度与最低温度之间的差距进一步缩小最大可以缩减11．82，有效地控制了芯片的温度。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王伟		162	1275	18.0	27.0
3	方芳		34	197	8.0	13.0
4	张欢		10	81	5.0	9.0
5	刘军		29	146	7.0	10.0
7	陈田		18	99	7.0	9.0
11	杨国兵		1	2	1.0	1.0