不同生长模式对AlN薄膜质量的影响

• 作者: 孙素静 袁凤坡 赵翠俭
• 来源期刊: 科技通报
• 学科: 工学
• 关键词: AlN 传统模式 脉冲模式 XRD
• 年，卷（期）: 2014,（7）
• 所属期刊栏目: 工业技术
• 页码范围: 104-106
• 页数: 3页
• 分类号: TN451
• 字数: 1603字
• 语种: 中文

摘要

采用传统生长模式和脉冲生长模式开展了蓝宝石衬底上AlN薄膜外延生长研究。通过XRD、透射谱、Raman等分析手段，研究了不同生长模式对AlN薄膜质量的影响，研究发现采用脉冲生长模式的样品与采用传统生长模式的样品相比，晶体质量显著地提高，AlNω(102)的FWHM从2093 arcsec减少到835 arcsec，有效的限制了深能级缺陷。由于采用脉冲生长模式样品中的位错密度较小，所以样品中的残余应力略有提高。研究结果表明脉冲生长模式能有效的提高蓝宝石衬底上AlN晶体质量。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙素静	石家庄铁道大学信息科学与技术学院	10	13	2.0	2.0
2	赵翠俭	石家庄学院物理与电气信息工程学院	10	14	2.0	2.0
3	袁凤坡	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	16	2.0	3.0