利用工艺和器件仿真优化发射极提高单晶硅电池转换效率

• 作者: 叶舟 梁鹏 王帅 范玉杰 邢宇鹏 韩培德
• 来源期刊: 太阳能学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅电池 发射极 仿真 磷扩散
• 年，卷（期）: 2014,（10）
• 页码范围: 1999-2003
• 页数: 5页
• 分类号: TM914.4
• 字数: 1676字
• 语种: 中文

摘要

利用半导体工艺及器件仿真工具TCAD软件的工艺仿真模块模拟单晶硅电池制造过程中的扩散和热氧化过程,得到与测试结果相一致的掺杂分布曲线.在工艺仿真基础上,利用TCAD软件的器件仿真模块计算电池的转换效率和内量子效率,发现通过降低扩散温度以及在扩散之后加入热氧化工艺可减小发射极表面附近的掺杂,从而减小发射极复合以及表面复合,且热氧化还可减少发射极方阻,如果电池接触电阻增加较小的话,上述工艺可提高转换效率.通过测试实际电池的量子效率曲线对仿真进行验证,说明了器件仿真的准确性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩培德	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	35	127	6.0	9.0
2	梁鹏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	20	266	9.0	16.0
3	王帅	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	133	716	13.0	21.0
4	叶舟	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	6	21	3.0	4.0
5	范玉杰	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	2	10	2.0	2.0
6	邢宇鹏	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	4	13	2.0	3.0