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摘要:
采用I2作为输运剂,以单质Zn和Se为原料运用化学气相输运法制备了ZnSe晶体.比较了不同I2含量下所生长ZnSe晶体的性能,借助XRD、SEM和EDS检测方法分析了ZnSe晶体的结构、形貌和成分.结果表明:I2含量对ZnSe晶体性能具有重要的影响,通过比较3组I2含量所制备的ZnSe晶体,确定出当I2含量为4 mg/cm3时,所生长的ZnSe晶体具有较好的结晶质量,其晶格常数为5.668 nm.测定ZnSe中Zn与Se的原子分数比为1∶0.99,且只有1个衍射峰(2θ=27.2°),其晶面指数为(111).SEM图像表面比较平滑,没有明显气孔.在此条件下,ZnSe晶体的红外透过性能最好,红外透过率为53.07%~62.61%.其他两种I2含量下所生长的ZnSe晶体结晶质量较差,XRD图谱显示有多个衍射峰,SEM图像表面凹凸不平,有明显气泡和孔洞,并且其红外透过率较低.
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内容分析
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文献信息
篇名 碘输运剂对CVT法制备ZnSe单晶的性能影响研究
来源期刊 稀有金属材料与工程 学科 工学
关键词 ZnSe晶体 化学气相输运法 碘输运剂
年,卷(期) 2014,(4) 所属期刊栏目 材料科学
研究方向 页码范围 866-869
页数 4页 分类号 TN304.2|O731
字数 语种 中文
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研究主题发展历程
节点文献
ZnSe晶体
化学气相输运法
碘输运剂
研究起点
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期刊影响力
稀有金属材料与工程
月刊
1002-185X
61-1154/TG
大16开
西安市51号信箱
52-172
1970
chi
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15
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