热处理对稀磁半导体Al1-xCuxN薄膜性能的影响

• 作者: 季小红 柯兴宇
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Al1-xCuxN薄膜 稀磁半导体 铁磁性
• 年，卷（期）: 2014,（12）
• 页码范围: 3074-3079
• 页数: 6页
• 分类号: O471|O484
• 字数: 4743字
• 语种: 中文

摘要

采用磁控溅射法,在蓝宝石衬底上沉积Al1-xCuxN薄膜样品,并对样品进行退火处理.利用X-射线衍射仪和超导量子干涉仪分别研究了退火前后薄膜的结构和磁性能.研究发现退火处理工艺有效地改善了样品的结晶特性和铁磁性:Al1-xCuxN从非晶薄膜转变为多晶薄膜;950℃、氮气气氛退火处理后样品的最大饱和磁矩增加到原来的两倍,约为5.16 emu/cm3.结合X射线光电子能谱和光致发光性能分析,Al1-xCuxN铁磁性来源于Cu原子与其最近邻的N原子之间的p-d杂化和N原子周围缺陷位置极化共同作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	季小红	华南理工大学材料科学与工程学院	2	0	0.0	0.0
2	柯兴宇	华南理工大学材料科学与工程学院	1	0	0.0	0.0