不同掺锗浓度对多晶硅性能的影响

• 作者: 苏杰 钟根香 黄新明 黄美玲
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅 锗 位错 氧 机械强度
• 年，卷（期）: 2014,（24）
• 所属期刊栏目: 材料研究
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 2376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2014.24.002

摘要

研究不同的掺锗浓度对硼掺杂P型多晶硅铸锭性能的影响.实验结果表明:掺锗能够影响多晶硅铸锭中的位错密度、间隙氧浓度和硅片的机械强度.当掺锗浓度低于5×1019 at·cm-3时,位错密度和间隙氧浓度随着掺锗浓度的增加而降低,机械强度则随着掺锗浓度的增加而增强.当铸锭中掺锗浓度为5×1019 at·cm-3时,与不掺锗的硅片相比,掺锗硅片中位错密度平均降低约3％,间隙氧浓度平均降低约6％,机械强度平均提高约20％.但是,当掺锗浓度高于1×1020 at·cm-3时,掺锗对多晶硅铸锭性能的改善效果变差了,并对其性能产生不利的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟根香		6	37	4.0	6.0
3	黄新明	南京工业大学材料学院	9	39	4.0	6.0
7	苏杰	南京工业大学材料学院	5	3	1.0	1.0
10	黄美玲		2	7	2.0	2.0