CMP中新型碱性阻挡层抛光液的性能

• 作者: 刘玉岭 张文倩 栾晓东 王辰伟 高娇娇
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 化学机械抛光(CMP) 阻挡层 选择比 稳定性 清洗
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 671-675
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.011

摘要

介绍了一种不舍腐蚀抑制剂苯并三氮唑(BTA)和氧化剂的弱碱性阻挡层抛光液.通过测量抛光液的pH值、Zeta电位、黏度、粒径大小及粒径分布随放置时间的变化来研究抛光液的稳定性;该抛光液与商业阻挡层抛光液进行比较,通过测试抛光后的晶圆表面状态,发现该抛光液有利于化学机械抛光(CMP)后清洗;在E460E机台上研究抛光液中各种成分(磨料、FA/O螯合剂)和抛光液pH值对Cu,Ta和SiO2去除速率选择比的影响.实验研究结果表明该弱碱性阻挡层抛光液使用保质期长达一个月以上并且利于CMP后清洗,抛光后的晶圆表面无氧化铜结晶和BTA颗粒.抛光实验结果显示磨料、FA/O螯合剂和pH值对Cu,Ta和SiO2去除速率选择比有不同的影响,其中影响最大的是磨料质量分数.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学电子信息工程学院	263	1540	17.0	22.0
2	王辰伟	河北工业大学电子信息工程学院	80	287	8.0	10.0
3	张文倩	河北工业大学电子信息工程学院	11	36	3.0	5.0
4	高娇娇	河北工业大学电子信息工程学院	14	51	5.0	6.0
5	栾晓东	河北工业大学电子信息工程学院	8	26	3.0	4.0