真空提纯对n型高阻区熔硅单晶研制的影响

• 作者: 刘洪 庞炳远 闫萍
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 真空提纯 n型 高阻 硅单晶 区熔(FZ)
• 年，卷（期）: 2015,（10）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 676-680
• 分类号: TN304.053
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.10.012

摘要

采用真空提纯工艺对棒状多晶硅原料进行了区熔(FZ)提纯,之后对提纯后的多晶硅进行单晶生长.通过检测每次提纯后的多晶硅和最终生长成的硅单晶的电阻率变化,得到了真空提纯工艺对电阻率变化的影响规律.之后,通过计算得到了原料中主要杂质磷杂质在每次真空提纯后的去除量,并讨论了磷杂质去除量对材料导电类型的影响.分析认为真空提纯工艺具有较高的提纯效率,通过真空提纯工艺可大幅提高材料的纯度和电阻率.提出要研制n型高纯高阻硅单晶,还需通过真空提纯工艺精确地控制硼、磷杂质的相对含量,并充分考虑杂质在径向上的分布规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	闫萍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	16	35	4.0	5.0
2	庞炳远	中国电子科技集团公司第四十六研究所	13	17	3.0	3.0
3	刘洪	中国电子科技集团公司第四十六研究所	6	9	2.0	2.0