大厚度硅结构高精度干法刻蚀技术研究

• 作者: 夏春晓 杨军 盛洁 郭中洋
• 来源期刊: 导航定位与授时
• 学科: 航空航天
• 关键词: 微机电系统 深硅刻蚀 侧壁垂直度 刻蚀均匀性
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 仪表与部件
• 页码范围: 96-101
• 页数: 6页
• 分类号: V444
• 字数: 3080字
• 语种: 中文

摘要

增大敏感结构厚度是提高微机电陀螺性能的一个途径.对大厚度敏感结构,在刻蚀过程中易出现“长草”、“缩口”和“屋檐”等典型缺陷,同时刻蚀后侧壁垂直度、刻蚀均匀性较差,严重影响其尺寸精度.研究了刻蚀/钝化比、刻蚀阶段钝化气体通入时间和反应气体流量等工艺参数对刻蚀形貌的影响,提出了一种分步刻蚀的方法,获得了侧壁垂直度89.95.与片内均匀性3.4％的刻蚀结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	盛洁		2	3	1.0	1.0
2	夏春晓		1	1	1.0	1.0
3	杨军		3	8	1.0	2.0
4	郭中洋		5	5	1.0	2.0