硫化时间对CuInS2薄膜特性的影响

• 作者: 姚伟 徐金刚 朱俊 王利刚 王延来
• 来源期刊: 稀有金属材料与工程
• 关键词: CuInS2薄膜 硫化时间 光电特性
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 所属期刊栏目: 材料科学
• 页码范围: 805-807
• 页数: 3页
• 语种: 中文

摘要

磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2.采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性.结果表明:硫化时间为10 min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42～1.55 eV之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王利刚		13	55	5.0	7.0
2	王延来		3	4	2.0	2.0
3	朱俊		4	7	2.0	2.0
4	姚伟		1	0	0.0	0.0
5	徐金刚		1	0	0.0	0.0