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摘要:
采用第一性原理方法从原子尺度研究了SrTiO3缓冲层对Pt/PbTiO3/Pt铁电电容的极化强度和稳定性的影响.针对PbO和TiO22种不同终端表面的PbTiO3铁电电容,在Pt与PbTiO3的下界面处逐层引入SrTiO3缓冲层,研究了PbTiO3薄膜极化性质的演化规律.结果表明,引入SrTiO3缓冲层会不同程度地破坏PbTiO3薄膜的极化对称性,使指向上表面的极化状态更为稳定,这对于要求双稳极化状态的铁电存储器是不利的.
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文献信息
篇名 SrTiO3缓冲层引起的铁电薄膜极化对称性破缺
来源期刊 现代应用物理 学科 物理学
关键词 铁电薄膜 缓冲层 界面 极化对称性破缺
年,卷(期) 2015,(4) 所属期刊栏目 凝聚态物理和材料科学
研究方向 页码范围 286-292
页数 7页 分类号 O469
字数 4183字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周益春 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 108 552 11.0 21.0
2 张文庆 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 1 0 0.0 0.0
3 杨琼 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 6 3 1.0 1.0
4 曹觉先 湘潭大学低维材料及其应用技术教育部重点实验室 10 17 3.0 3.0
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铁电薄膜
缓冲层
界面
极化对称性破缺
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现代应用物理
季刊
2095-6223
61-1491/O4
大16开
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2010
chi
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