金－硅共晶键合技术及其应用

• 作者: 张慧 施志贵 王旭光 郑英彬 陈颖慧
• 来源期刊: 纳米技术与精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 圆片级封装 键合 共晶 低温 键合质量检测
• 年，卷（期）: 2015,（1）
• 所属期刊栏目: 精 密 加 工
• 页码范围: 69-73
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 3508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13494/j.npe.20140085

摘要

采用金属过渡层来实现硅－硅低温键合，首先介绍了选择钛金作为金属过渡层的原因和金硅共晶键合的基本原理，然后探索了不同键合面积和不同金层厚度对金硅共晶键合质量的影响规律，开展了图形化的硅晶圆和硅盖板之间的低温共晶键合实验研究，获取了最优键合面积的阈值和最优金层厚度。最后将该低温金硅共晶键合技术应用到MEMS器件圆片级封装实验中，实验结果表明较好地实现了MEMS惯性器件的封装强度，但是还存在密封性差的缺陷，需进一步进行实验改进。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑英彬	中国工程物理研究院电子工程研究所	22	115	7.0	9.0
2	施志贵	中国工程物理研究院电子工程研究所	20	121	7.0	10.0
3	陈颖慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	15	82	6.0	8.0
4	张慧	中国工程物理研究院电子工程研究所	5	20	3.0	4.0
5	王旭光	中国工程物理研究院电子工程研究所	6	27	3.0	5.0