磨料粒径对多层Cu布线CMP的影响

• 作者: 何彦刚 刘玉岭 周建伟 张燕 武鹏 秦然
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 粒径 多层Cu布线 化学机械抛光(CMP) 抛光速率 表面状态
• 年，卷（期）: 2015,（11）
• 所属期刊栏目: 加工、测量与设备
• 页码范围: 733-736
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2015.11.010

摘要

阐述了碱性抛光液中磨料的质量传递作用对多层Cu布线化学机械抛光(CMP)过程中抛光速率和抛光后晶圆表面状态的影响,通过对比不同磨料粒径抛光液在3英寸(1英寸=2.54 cm)铜晶圆上的抛光实验结果,分析了不同磨料粒径抛光液的抛光速率以及抛光后晶圆的表面状态,选择了一种粒径为100 nm、质量分数为3％的磨料,粗抛(P1)的抛光速率达到650 nm/min,抛光后晶圆表面粗糙度由10.5 nm降至2.5 nm,大大提高了抛光后晶圆的表面状态以及平坦化效果,可对多层Cu布线CMP过程中磨料的选择提供一定的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子技术与材料研究所	263	1540	17.0	22.0
2	周建伟	河北工业大学微电子技术与材料研究所	40	197	8.0	11.0
3	何彦刚	河北工业大学微电子技术与材料研究所	21	142	6.0	11.0
4	张燕	河北工业大学微电子技术与材料研究所	55	238	8.0	13.0
5	武鹏	河北工业大学微电子技术与材料研究所	3	15	2.0	3.0
6	秦然	河北工业大学微电子技术与材料研究所	2	8	2.0	2.0