国产碳化硅实现量产或将替代单晶硅

• 来源期刊: 集成电路通讯
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅衬底 单晶硅 国产 碳化硅半导体 碳化硅材料 自主研制 行业协会 电子材料
• 年，卷（期）: 2015,（4）
• 页码范围: 35-35
• 页数: 1页
• 分类号: TN304.24

摘要

近日，我国自主研制的又一款4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底产品问世。据报道，该碳化硅项目由山东天岳研制而成的。中国电子材料行业协会组织的专家认为，该成果国内领先，已达到国际先进水平。此前，北京天科合达与中科院合作，成功研制了从2英寸到6英寸的碳化硅衬底，完成了我国碳化硅半导体从无到有的过程。如今，我国第二家企业也实现了碳化硅材料大规模量产，标志着我国碳化硅材料发展逐渐走向成熟。