Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装

• 作者: 赵佶
• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 导通电阻 FAIRCHILD SuperFET 输出电容 击穿电压 功率半导体 电路板空间 形状因数 太阳能逆变器 电源适配器
• 年，卷（期）: bdtxx,（2）
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN386

摘要

【正】全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild日前推出800V SuperFET?IIMOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减