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摘要:
【正】全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild日前推出800V SuperFET?IIMOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减
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文献信息
篇名 Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装
来源期刊 半导体信息 学科 工学
关键词 导通电阻 FAIRCHILD SuperFET 输出电容 击穿电压 功率半导体 电路板空间 形状因数 太阳能逆变器 电源适配器
年,卷(期) bdtxx,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 12-13
页数 2页 分类号 TN386
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节点文献
导通电阻
FAIRCHILD
SuperFET
输出电容
击穿电压
功率半导体
电路板空间
形状因数
太阳能逆变器
电源适配器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体信息
双月刊
16开
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
1990
chi
出版文献量(篇)
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11
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