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Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装
Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装
作者:
赵佶
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
导通电阻
FAIRCHILD
SuperFET
输出电容
击穿电压
功率半导体
电路板空间
形状因数
太阳能逆变器
电源适配器
摘要:
【正】全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild日前推出800V SuperFET?IIMOSFET系列,该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson)和输出电容(Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要600V/650V以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性,同时通过减
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Fairchild的800V SuperFET Ⅱ MOSFET系列提供最低的导通电阻和多种可选封装
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导通电阻
FAIRCHILD
SuperFET
输出电容
击穿电压
功率半导体
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形状因数
太阳能逆变器
电源适配器
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bdtxx,(2)
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研究方向
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12-13
页数
2页
分类号
TN386
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主办单位:
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
出版周期:
双月刊
ISSN:
CN:
开本:
16开
出版地:
南京市1601信箱43分箱(南京市中山东
邮发代号:
创刊时间:
1990
语种:
chi
出版文献量(篇)
5953
总下载数(次)
11
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