非晶ZSO透明导电薄膜的P-MBE制备

• 作者: 岳超 张怡宇 徐博 盛拓
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: ZSO薄膜 微观结构 宽禁带半导体 电学性能 光学常数
• 年，卷（期）: 2015,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 408-411
• 分类号: TN304.054
• 语种: 中文

摘要

采用射频等离子体辅助分子束外延技术(P-MBE),在石英玻璃基片上制备了高纯度的透明导电ZSO薄膜,利用X射线衍射、原子力显微镜、Hall测试仪和光谱测量等表征技术,研究了射频功率对ZSO的结晶性能、表面形貌、电学参数及透射率等的影响.研究结果表明,在室温350W离化气源功率下,非晶态ZSO薄膜表面平整度高,室温电子迁移率达11.47 cm2·V-1·s-1,电阻率为1.497 Ω·cm,光学禁带宽度为3.53 eV.分析得出,采用此工艺制备的非晶ZSO透明导电薄膜,具有优良的光电性能,是制备透明导电薄膜晶体管的优良宽禁带半导体材料.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐博	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
2	岳超	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	5	1.0	2.0
3	盛拓	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
4	张怡宇	电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	1	1.0	1.0